具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法

专利摘要:
本發明提供一種具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜，其包含一基材膜及一黏結層，黏結層係形成於基材膜的一側表面上。所述基材膜的拉伸強度為2 kg/mm2-10 kg/mm2，而其斷裂延伸率為50%-200%。所述黏結層的凝膠含量為80%以上。本發明的半導體晶片表面保護用黏結膜可以確保切割性及切斷性，防止隨著晶片膜化的彎曲發生及晶片破碎現象，在高溫中也不發生熔解等現象，從而可以在晶片研磨時提高收率。
公开号:TW201319211A
申请号:TW101139371
申请日:2012-10-24
公开日:2013-05-16
发明作者:Jang-Soon Kim；Hyun-Ju Cho；Ju-Yong Seo
申请人:Lg Hausys Ltd；
IPC主号:C09J7-00

专利说明:
具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法
本發明係關於一種半導體晶片表面保護用黏結膜，其包含一基材膜及一黏結層，所述黏結層係形成於所述基材膜的一側表面上。
以半導體晶片表面保護用黏結膜而言，當所述黏結膜成晶片形狀時，在任何條件下都應無阻礙地易於切斷，此性質被稱為切斷性或切割性。與此相關，實際存在的問題是所述黏結膜貼合於晶片後無法確保其切割性及晶片於變薄時所產生的彎曲現象。韓國公開專利第2003-0061300號中雖然提及根據溫度的剛軟度，但是仍然不能確保前述問題的解決方法。
普遍地，半導體晶片表面保護用黏結膜中所使用的黏結劑，由於其厚度薄使得其對於所述黏結膜的切割性不能有很大的貢獻。然而，半導體晶片表面保護用黏結膜中作為基材膜使用的高分子膜則具有很大的貢獻。因此，當務之急是發明出藉由確保基材膜的切割性以提高晶片收率的方案。
鑑於上述的問題，本發明之一目的在於提供一種於晶片研磨時具有優異切割性及切斷性的半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法。
本發明之另一目的在於提供一種於晶片變薄時可防止彎曲現象及晶片破碎現象的半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法。
為達成上述目的，本發明提供一種具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜，其包含一基材膜及一黏結層，所述黏結層係形成於所述基材膜的一側表面上。所述基材膜的拉伸強度為2 kg/mm²-10 kg/mm²，且其斷裂延伸率為50%-200%。所述黏結層的凝膠含量為80%以上。
再者，為達成本發明的上述目的，本發明提供一種具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法，其包括下列步驟：形成一基材膜；控制所述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率；在所述基材膜的一側表面上形成一黏結層；以及對形成有所述黏結層的基材膜進行紫外線(UV)固化程序。
本發明的半導體晶片表面保護用黏結膜可以確保其切割性及切斷性，在高溫下也不會發生熔解等現象，因此可以在晶片研磨時提高收率。
並且，所述半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法包括控制基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率，從而可以減少所述半導體晶片表面保護用黏結膜對於切斷的抵抗性，以及可以確保其用於維持乾淨面的切割性。同時，在晶片變薄的情況下，可以使得發生彎曲的現象最小化，以及可以防止晶片的破碎現象。
以下參照附圖詳細說明的實施例將使本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法更加明確。但是，本發明不局限於以下所公開的實施例，其能夠以互不相同的各種方式實施，本實施例僅用於使本發明的公開內容更加完整，有助於本發明所屬技術領域的普通技術人員完整地理解本發明之範疇，本發明根據申請專利範圍而定義。在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的結構要素。
以下，將對本發明的具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜及其製造方法進行詳細說明。 半導體晶片表面保護用黏結膜
本發明提供一種半導體晶片表面保護用黏結膜，其包含一基材膜及一黏結層，所述黏結層係形成於所述基材膜的一側表面上。
如果要使所述基材膜的切割性優異，拉伸強度及斷裂延伸率應位於最佳範圍內，即所述基材膜的拉伸強度可以為2 kg/mm²-10 kg/mm²，而斷裂延伸率可以為50%-200%。
當所述基材膜的拉伸強度介於2 kg/mm²-10 kg/mm²的範圍中，於切斷時抵抗性低，因此可確保非常俐落的切割性。如果拉伸強度小於2 kg/mm²，所述基材膜將變得柔軟，因而提高對於切割的抵抗性。然而，如果拉伸強度大於10 kg/mm²，所述基材膜自身於剝離時會降低其吸收衝擊的能力，從而可能在晶片研磨變薄時發生捲曲(curl)的狀況。
所述基材膜的斷裂延伸率亦為重要的要素之一。所述基材膜的斷裂延伸率可以介於50%-200%的範圍中。如果斷裂延伸率小於50%，則相同於上述所提及之拉伸強度大於10 kg/mm²的情況，即是於晶片研磨變薄時發生捲曲的可能性高。然而，如果斷裂延伸率大於200%，所述基材膜中高分子的排列將朝向該方向拉長，因此對於切割的抵抗性可能增加。
所述基材膜為選自由聚氯乙烯(PVC)膜、聚氨酯膜、聚烯烴膜、乙烯-醋酸乙烯(EVA)共聚物膜及乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜所組成之群組中的至少一者。
所述基材膜的厚度除了會影響所述基材膜本身的強度外，在背面加工時還會影響晶片破損的防止效果，因此較佳是根據晶片的表面高度差、凸點(bump)電極的存在與否等，來選擇適當的厚度。
所述基材膜的厚度較佳約為50 μm-300 μm。特別是，所述基材膜的厚度可以約為100 μm-200 μm。如果所述基材膜的厚度太薄，則所述基材膜本身在強度變弱的同時，黏結膜不能充分地附著於晶片表面上的凸起狀物，致使對於凸起狀物的黏著性不足，於研磨晶片的背面時，可能在與凸起狀物對應之晶片的背面產生凹坑(Dimple)。如果所述基材膜的厚度太厚，則所述黏結膜的製造變得困難，因此可能影響生產率而增加製造成本。
在本發明所述基材膜的一側表面上所形成的黏結層中，其凝膠含量為80%以上。具體地，所述黏結層中的凝膠含量介於80%-99%時，其會促使高分子的硬度增加，從而可以確保其切割性及切斷性是良好的。如果所述黏結層中的凝膠含量少於80%，黏結膜將會變得柔軟而降低其切割性，使得毛邊(burr)形成的可能性增加；另外，長時間以膠膜捲筒狀態保存時，未反應的成分向表面突出而可能產生結塊(blocking)。然而，如果所述黏結層中的凝膠含量大於99%，黏結膜將會變得堅硬，雖然其具有優異的切斷性，但是在研磨晶片(wafer)時，不能吸收衝擊使得發生捲曲的可能性增加，因此具有收率降低之憂慮。
所述黏結層中的凝膠含量如下述數學式I所示，其是在極性溶劑中將所構成之黏結層的樹脂組合物浸泡48小時之後，於110℃條件下乾燥2小時後測定之凝膠含量：X(凝膠含量)=[1-(Xi-Xs)/Xi]×100(%)………(I)，在數學式I中，Xi為初始重量；Xs為溶解於溶劑後經由300目篩網過濾，並於110℃條件下乾燥2小時後所殘留於篩網上之有機物的重量；X即為本發明中所提及之凝膠含量。
根據極性，溶膠餾分溶解而分離的時間可能會不同，其大約為24小時-48小時會充分分離且只會剩餘凝膠餾分，因此使用於本發明的極性溶劑只要存在一點極性就沒有限制。特別地，較佳的範例例如為三氯甲烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇或二甲基甲醯胺等。
形成本發明半導體晶片保護用黏結膜之黏結層的樹脂組合物較佳為：在加熱半導體晶片的溫度條件下(例如大約在150℃的溫度下)，所述黏結層中的黏結劑可以充分發揮作用。惟，即使溫度在150℃以上的條件下進行加熱處理，當黏結力上升時，不會引起剝離不良或是於剝離後不形成殘渣的組合物亦為較佳的選擇。
所述樹脂組合物可以包含矽類或丙烯酸類樹脂組合物。於此，較佳的是丙烯酸類樹脂組合物，其最普遍使用的類型是紫外線照射型。特別地，紫外線照射型普遍適用於下述情況：晶片薄膜化的情況、經運算晶片之厚度為100 μm以下的情況。
所述樹脂組合物更佳為疏水性的樹脂組合物，如果所述樹脂組合物是水溶性的，在研磨加工時由於樹脂組合物的固化體溶脹會引起錯位現象，從而降低加工精密度。但是，即使為親水性的，只要所述樹脂組合物的固化體不存在遇水溶脹或部分溶解的情況，於使用上就不存在限制。
所述黏結層的厚度較佳為3 μm-300 μm。以黏結層而言，較佳為將半導體晶片保護用黏結膜從晶片的電路形成面(以下，稱為表面)剝離後，半導體晶片的表面不產生由膠水殘渣所引起的污染。最佳地，所述黏結層藉由具有反應性官能基的交聯劑、過氧化物、放射線等以高密度交聯，即使在半導體晶片的電路形成面貼合半導體晶片保護用黏結膜後的加熱程序，也可以防止黏結力過大，進而防止了半導體晶片表面污染的增加。
本發明的黏結膜於紫外線照射前的剝離力大於紫外線照射後的剝離力。更加具體地，紫外線照射前的剝離力可以為400 g/in-1200 g/in，而紫外線照射後的剝離力可以為20 g/in-200 g/in。
所述黏結膜之紫外線照射前的剝離力小於400 g/in的情況下，由於初始剝離力低致使浸濕的可能性高；而大於1200 g/in的情況下，由於初始黏結力高且過於牢靠地黏貼於晶片上，而會在紫外線照射後留下殘渣，或者由於黏結層柔軟使得毛邊(burr)形成的可能性增加，並且在研磨加工後而晶片變薄的同時產生彎曲的可能性增加。
並且，所述黏結膜之紫外線照射後的剝離力小於20 g/in的情況下，在處理經過紫外線照射之晶片的過程中自然地脫落將使得晶片表面受污染的可能性增加；而大於200 g/in的情況下，其不易脫落的特性將會使得晶片破碎的可能性增加。 半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法
本發明提供一種半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法，其包括下列步驟：形成一基材膜；控制所述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率；在所述基材膜的一側表面上形成一黏結層；以及對形成有所述黏結層的基材膜進行紫外線(UV)固化程序。
所述形成基材膜的程序可以包括擠壓成型、紫外線固化程序、澆鑄(casting)法、壓延成型或熱固化程序等。
在一實施例中，例如可藉由紫外線固化程序形成丙烯酸膜、藉由擠壓成型形成乙烯-醋酸乙烯共聚物膜及聚烯烴膜，或可藉由熱固化程序形成聚氨酯膜。然而，聚氯乙烯膜則可藉由澆鑄法或壓延成型來形成。
控制所述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的步驟包含：將所述基材膜的拉伸強度控制為2 kg/mm²-10 kg/mm²，將所述基材膜的斷裂延伸率控制為50%-200%。藉由前述方法形成基材膜後，對所述膜進行電磁波(electromagnetic wave)照射或電漿處理，從而可控制拉伸強度及斷裂延伸率。並且，當控制所述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的步驟時，可對所述基材膜進行電磁波照射或電漿處理。
所述電磁波是包含γ射線、X射線、紫外線及電子束等，但較佳的是紫外線或電子束。尤其是紫外線，因為其便於處理且容易獲得高能量，於此，只要是可以產生紫外線的光源皆可以使用。例如可以使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、碳弧燈、金屬鹵素燈或氙氣燈等。並且可以使用ArF準分子雷射器、KrF準分子雷射器、准分子燈或氙氣燈等。
並且，還可以使用ArF準分子雷射器、KrF準分子雷射器、准分子燈或同步加速器放射光等。照射條件根據各個光源而不同，但是照射光量較佳為1 mJ/cm²以上，更佳是介於200 mJ/cm²-10000 mJ/cm²之間，最佳是介於500 mJ/cm²-5000 mJ/cm²之間。
並且，也可以使用電子束，例如為具有由考克饒夫特瓦爾頓(Cockcroft Walton)型、範德格拉夫型、共振變壓型、絕緣芯變壓器型、直線型、高頻高壓加速器型或高頻型等各種電子束加速器所放出之能量的電子束。
作為電子束照射裝置可以例如是區域射束(area beam)型電子束照射裝置、注射型電子束照射裝置等。有關照射條件，加速電壓較佳為根據膜的厚度或者所要進行處理的深度而選擇適當的加速電壓。所述加速電壓較佳為50 kV以上。有關照射線量，較佳為根據所需膜的物理性質來選擇適當的照射線量。所述照射線量較佳是介於50 kGy-1000 kGy。所述照射線量於超過前述範圍的情況下，膜變得過於柔軟或堅固的可能性大，此時難以控制所需的切割性及捲曲，並且過多量的照射線量施加於膜時，可能導致其性能降低。
所述電漿處理最佳為實施大氣電漿處理，其可以使用氦氣、氬氣等稀有氣體或者氮氣、空氣等放電氣體，根據所需還可以使用在氧氣、氫氣、氮氣、一氧化碳、二氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、水蒸氣、甲烷、四氟甲烷等中含有一種以上的反應氣體。
並且根據形成基材膜的程序，控制拉伸強度及斷裂延伸率的程序可以不同。例如，藉由擠壓成型形成基材膜的情況下，由於高分子鏈的排列致使切斷性降低，因此需要進行電子束固化程序，但是以透過澆鑄所形成的基材膜、丙烯酸膜或聚氯乙烯膜而言，高分子鏈的排列具有較均勻的分佈而使得其具有優異之切斷性，從而不依賴於電子束也可以確保切割性和切斷性。
所述基材膜由兩層以上構成的情況下，用以與所述基材膜進行層壓的膜較佳為未進行電磁波照射的膜，具體地，例如為聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物(烷基的碳原子為1-4)、乙烯-α-烯烴共聚物、丙烯-α-烯烴共聚物、聚丙烯等的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚脂、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚碸、聚乙烯、聚丙稀、氨基甲酸乙酯、液晶及由它們的混合樹脂成形之樹脂膜。
可以包括在所述基材膜的一側表面形成所述黏結層的步驟。此種用以形成所述黏結層的方法，可以採用習知技術的方法，例如滾塗法、逆向滾塗法、凹印滾塗法、桿式塗佈法、刮刀塗佈法及擠壓塗佈法等。所形成之黏結層的乾燥條件無特別的限制，但是，一般較佳是在80℃-200℃的溫度範圍內乾燥10秒-10分鐘。更佳地，在80℃-170℃條件下乾燥15秒-5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏結層的交聯反應，終止所述黏結層的乾燥程序後，可在40℃-80℃條件下將半導體晶片表面保護用黏結膜加熱5小時-300小時左右。
所述黏結層可以包含矽類或丙烯酸類樹脂組合物，這與前述情況相同。更加具體地，可以使得丙烯酸-2-乙基己酯(2-EHA：2-ethyl hexyl acrylate)、甲基丙烯酸-2-乙基己酯(2-EHMA：2-ethyl hexyl methacrylate)、丙烯酸-2-羥乙酯(2-HEA：2-Hydroxy ethyl acrylate)及丙烯酸單體在溶劑下藉由溶液聚合法進行共聚而製備成具有羥基的樹脂組合物。
為了製造本發明的半導體晶片表面保護用晶片黏結膜，可以包括對形成有所述黏結層的基材膜進行紫外線(UV)固化的程序。
即，藉由將所述黏結層轉印塗佈於所述基材膜來製造半導體晶片表面保護用黏結膜後，在進行晶片研磨加工前，層壓到晶片後執行研磨加工，接續藉由紫外線照射以降低剝離力後，人為地剝離所述半導體晶片表面保護用黏結膜而完成晶片研磨加工的程序。
更加具體地，在形成所述黏結層的樹脂組合物中，使用丙烯酸作為官能基的情況下，使用具有氮丙啶基、環氧基的樹脂組合物作為其熱固化劑；使用羥基作為官能基的情況下，則是使用具有異氰酸酯基的樹脂組合物作為其熱固化劑來完成第一次的熱固化。此時，往所述樹脂組合物掺入光引發劑，並透過紫外線照射對完成第一次熱固化的狀態下還未參與反應之分歧(branching)的雙鍵誘導固化反應而獲取低於第一次熱固化的剝離力。
即，紫外線固化前的剝離力為經熱固化的狀態，紫外線固化後的剝離力為將經熱固化的狀態之黏結膜附著於晶片並照射紫外線後所測定之剝離力的值。此時，所述黏結膜在紫外線照射前的剝離力較佳為400 g/in-1200 g/in，而在紫外線照射後的剝離力較佳為20 g/in-150 g/in。
以下，經由下述實施例對本發明進行更詳細的說明。但，下述實施例僅例示本發明的內容，本發明的範圍不限定於實施例。 實驗例1：基材膜的切斷性及切割性之測定實施例及比較例
表1及表2顯示不同種類的基材膜，其係根據形成基材膜的程序，分別不同地控制拉伸強度及斷裂延伸率，用以測定所述基材膜的切斷性及切割性。

評價方法
將厚度為100 um之所述表1及表2的基材膜剪裁成橫/豎為5 cm×1 cm的大小，以拉伸試驗機中的夾具(jig)固定住所述基材膜的上部及下部，且於測壓元件(load cell)30 kg的負載下實施拉伸試驗。此時，所得到的橫軸表示距離(distance)、縱軸表示力的曲線(curve)，用於判斷為斷裂延伸率時，將最大力量測定為拉伸強度。
最終切割性的判斷方法如下：利用非常鋒利的刀於橫/豎為10 cm×10 cm的大小準備之試片的中央部分弄出劃痕，接續以此為中心於左右撕開的同時，如果沒有任何阻礙地易於撕開的話，由此判斷該種基材膜的切割性良好。但是，如果可以撕開卻具有費力的情況時，觀察毛邊(burr)現象是否存在。
關於捲曲的評價方法，是在所述基材膜表面塗佈20 um的黏結劑並蒸鍍到厚度為50 um的10 cm×10 cm大小的鋁墊片後，於100℃條件下放置約10分鐘，而後取出至常溫下冷卻，接續評價所述鋁墊片的彎曲程度。如果所述鋁墊片的邊緣部位產生捲曲時，由底面量測的值大於2 mm視為產生捲曲，小於2 mm則視為未產生捲曲。 評價結果
如表3及表4所示，當基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率分別未坐落於2 kg/mm²-10 kg/mm²及50%-200%的範圍內時，會產生毛邊及捲曲的情況，由此可以得知其不能確保切割性及切斷性。並且，根據基材膜的材質顯現出不同的形態，但是當基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率未坐落於前述範圍時，其皆具有切割性和切斷性降低的傾向。
進而，可以確認根據不同基材膜的形成方法，其控制拉伸強度及斷裂延伸率的方法亦不相同，即使不執意照射電子束，只要使基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的機械物理性質符合於本發明的範圍內，即可以有效地維持其切割性及切斷性。
實驗例2：黏結層的凝膠含量及黏結膜的剝離力之測定實施例及比較例
表5及表6顯示藉由刮刀塗佈法在不同種類之基材膜的一側表面分別形成一黏結層。所述黏結層包含丙烯酸類樹脂組合物，相對於100重量份的所有樹脂組合物，所述樹脂組合物係由60重量份的丙烯酸乙基己酯(Ethyl Hexyl Acrylate)、20重量份的丙烯酸甲酯及20重量份的丙烯酸羥乙酯(Hydroxy Ethyl Acrylate)所組成的。接續，將所述樹脂組合物混合於乙酸乙酯溶劑中，並將相對於所有樹脂組合物掺入0.01重量份的偶氮二異丁腈(2，2-azobisisobutyronitrile,AIBN，日本)作為熱引發劑，而後將溫度提升到60℃且反應8小時，從而將所述樹脂組合物聚合成分子量為50萬的高分子樹脂。
此後，相對於100重量份的所述丙烯酸羥乙酯，掺入90重量份的甲基丙烯酸異氰基乙酯(Methacryloyloxyethyl Isocyanate,MOI)，在25℃條件下進行24小時的改性反應，而使得所述樹脂組合物的羥基與MOI的含異氰酸酯(NCO)反應。接續，掺入作為光引發劑的豔佳固651和六亞甲基二異氰酸酯(1.6-Hexamethylene diisocyanate,HDI)固化劑，在混合後塗佈於厚度為38 um的離型PET上並進行乾燥，使其厚度為20 um。此後，將製備的黏結層轉印至表5及表6中實施例及比較例之基材膜上，以40℃經過3天的時效處理來製造出半固化狀態的半導體晶片表面保護用黏結膜。

評價方法
將表5、表6製造的黏結膜剪裁成寬度為1英寸、長度為10 cm的大小，在聚醯亞胺面利用2 kg輥往返附著5回，經過30分鐘後利用萬能試驗機(Universal Testing Machine,UTM)將剝離速度設為300 mm/min以測定紫外線照射前的剝離力。此後，以附著於聚醯亞胺面的狀態照射紫外線1500 mJ/cm2的能量，利用相同的方法測定紫外線照射後的剝離力。並且，將所述黏結膜以紫外線照射前的狀態浸泡於盛有水的盤子裡維持24小時之後觀察是否浸濕。另一方面，將浸泡於水中狀態的試片取出並在常溫下放置24小時後，將水份完全乾燥，接續重新照射紫外線並剝離保護膜，觀察在聚醯亞胺基材之上是否留下殘渣且記錄該結果。
並且，以凝膠含量而言，將形成於所述基材膜之一側表面的黏結層浸泡於乙酸乙酯中1天，並以300目篩網過濾且於110℃下乾燥2小時，藉由重量減少程度來測定。 評價結果
由表7及表8得知，UV照射前剝離力大於1200 g/in的情況下，雖然未發生浸濕，但在UV照射後留有殘渣；UV照射前剝離力小於400 g/in的情況下，雖然UV照射後未留有殘渣，但發生了浸濕的結果。並且，可以知道黏結膜在紫外線照射後的剝離力為20 g/in-200 g/in的範圍內是最為適當的。並且，可以確認出在確保有切割性和切斷性之基材膜的一側表面形成的黏結劑層中的凝膠含量為50%-90%的範圍內。
結果得知，基材膜的種類或拉伸強度及斷裂延伸率處於本發明中所限制的範圍內時，構成於所述基材膜之一側表面所形成的黏結層中樹脂組合物維持規定的凝膠含量，可以知道由此形成的黏結膜在紫外線照射前或照射後具有規定範圍的剝離力，從而可順利地進行研磨加工的程序。

雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

权利要求:
Claims (9)
[1] 一種具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜，包含一基材膜及一黏結層，所述黏結層係形成於所述基材膜的一側表面上，其中：所述基材膜的拉伸強度介於2 kg/mm²-10 kg/mm²之間，且所述基材膜的斷裂延伸率介於50%-200%之間；以及所述黏結層的凝膠含量為80%以上。
[2] 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜，其中所述半導體晶片表面保護用黏結膜在紫外線照射前的剝離力大於紫外線照射後的剝離力。
[3] 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜，其中所述半導體晶片表面保護用黏結膜在紫外線照射前的剝離力介於400 g/in-1200 g/in之間，而在紫外線照射後的剝離力介於20 g/in-200 g/in之間。
[4] 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜，其中所述基材膜為選自由聚氯乙烯膜、聚氨酯膜、聚烯烴膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物膜及乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜所組成之群組中的至少一者。
[5] 如申請專利範圍第1項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜，其中所述基材膜的厚度介於50 μm-300 μm之間。
[6] 一種具優異切斷性之半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法，包括下列步驟：形成一基材膜；控制所述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率；在所述基材膜的一側表面上形成一黏結層；以及對形成有所述黏結層的基材膜進行紫外線固化程序。
[7] 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法，其中在控制所述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的過程中，將所述基材膜的拉伸強度控制介於2 kg/mm²-10 kg/mm²之間，且將所述基材膜的斷裂延伸率控制介於50%-200%之間。
[8] 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法，其中在所述基材膜的一側表面上形成所述黏結層的程序係以滾塗法、逆向滾塗法、凹印滾塗法、桿式塗佈法、刮刀塗佈法及擠壓塗佈法中的至少一種方法進行。
[9] 如申請專利範圍第6項所述的半導體晶片表面保護用黏結膜的製造方法，其中所述半導體晶片表面保護用黏結膜在紫外線照射前的剝離力介於400 g/in-1200 g/in之間，而在紫外線照射後的剝離力介於20 g/in-200 g/in之間。

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